Группа компаний «Элемент» инвестирует 4,4 млрд рублей в производство силовых транзисторов на нитриде галлия.

Первое в России производство GaN-транзисторов полного цикла будет запущено на базе одного из ведущих предприятий группы — НИИ электронной техники (НИИЭТ) в Воронеже, где уже серийно выпускается широкая линейка приборов на основе GaN-on-Si (нитрид галлия на кремнии). Проектная мощность производства составит 5,5 тыс. пластин в 200-мм эквиваленте в год.

В первую очередь производство рассчитано на обеспечение потребностей ГК «Элемент» в силовых транзисторах на нитриде галлия, которые используются в производимых другими предприятиями Группы устройствах — блоках питания, в том числе серверных, и модулях усилителя радиосигнала в телекоммуникационном оборудовании. @banksta